我們的太赫茲成像相機使用常規的光刻（kè）技術，在（zài）標準半（bàn）導（dǎo）體周期中以GaAs高遷移率異質結結構製造探測（cè）器。成像傳感（gǎn）器（qì）在單（dān）個（gè）晶片上製造。該（gāi）過程確保了（le）等離子體檢測器參數的高度均勻性和可（kě）重複性（像素到像素的偏差響應度在20％的範圍內）。
我（wǒ）們的太赫茲成像相機使用（yòng）常規的光刻技術，在（zài）標準半導體周期中以GaAs高遷移率（lǜ）異質結結構製造探測器。成像傳感器在單個晶片上製造。該過（guò）程確保了等離子體檢測器參數的高度（dù）均勻性和可重複（fù）性（像素到（dào）像素的（de）偏差響（xiǎng）應度在20％的範圍內）。
每個檢測器單元的室溫（wēn）響應率高達50 kV / W，具有讀出（chū）電路，在10 GHz到1 THz的頻率範圍內的等效噪聲功（gōng）率為（wéi）1 nW / √Hz。該檢測機製基於在（zài）二維電子係統中（zhōng）激發等離子體振蕩並進行隨後的整流（liú）。整流（liú）發（fā）生在電子係統中產生的特殊缺陷上（shàng）。
這些太赫茲相機是有源檢測（cè）設備（bèi），需要外部THz源。我們提供基於IMPATT技術的太赫茲源。我們所有的TERA係（xì）列太赫茲成像相機都使（shǐ）用具有相同功能和空間（jiān）分辨率的相同類型的探測器。我們的模型之間的差異在於其傳感（gǎn）器陣（zhèn）列中的像素數量及其有效（xiào）成像區域。
*除了我們的標準THz攝像機型（xíng）號外，我們還提供定製的解決（jué）方案，以滿（mǎn）足各種配置（zhì）和（hé）幾何形狀要求。請聯係蘇州波弗（fú）光電科（kē）技有限公司獲取更多相關信息。
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Model |
像素 |
像素間距 |
NEP |
尺（chǐ）寸 |
頻（pín）率範圍 |
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（pixels） |
（mm） |
nW/√Hz |
cm |
THz |
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Tera-256 |
256 |
1.5 |
1 |
11.5x11.5x4.2 |
0.05-0.7 |
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Tera-1024 |
1024 |
1.5 |
1 |
11.5x11.5x4.2 |
0.05-0.7 |
|
Tera-4096 |
4096 |
1.5 |
1 |
16.5x16.5x4.5 |
0.05-0.7 |
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TeraFAST-256 |
256 |
3x1.5 |
1 |
- |
0.05-0.7 |
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備注： |
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