TeraSense係列太赫茲源（IMPATT二（èr）極（jí）管）以過渡區（qū）為0.6 um的矽雙漂移（yí）二極管為（wéi）代表，安（ān）裝在銅散熱器上。雙漂移二極管中的（de）層為：重摻（chān）雜（p +）區域，中摻雜（p +）區域，中摻雜n區域和重摻雜（n +）區域。 （p +）和（n +）區域允許與外部電路形成歐姆電接（jiē）觸。該器件依靠負電阻來產生並維持振（zhèn）蕩。
TeraSense係列太赫茲源（IMPATT二極管）以過渡區（qū）為0.6 um的矽雙漂移二極管為代表（biǎo），安裝在銅散熱器上。雙漂移二極管中（zhōng）的層（céng）為：重摻雜（p +）區域，中（zhōng）摻雜（p +）區域，中摻雜n區域和重摻雜（n +）區域。 （p +）和（n +）區域允許與外（wài）部電（diàn）路形成歐姆電接（jiē）觸。該器件依靠（kào）負電阻（zǔ）來產生並維持振蕩。
Terasense現在正在提（tí）供其太赫茲源的升級（jí）版本，升級後的IMPATT二極管配有保護隔離器，可顯著提高輸出功率的穩定性。從現在起，您可以訂購帶有開放式WR法蘭（lán）或可拆卸喇叭天線的IMPATT二極管。在（zài）100 GHz處優化頻（pín）率的太赫茲源的典型輸出射頻功率可以達到2 W.
此外（wài），TeraSense信號源還具有人體（tǐ）工程（chéng）學設計和易用性，同時可以（yǐ）選擇提供帶有衰減器和開（kāi）關部分的太赫茲發（fā）生器。
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Model |
輸出功率版（bǎn）本（可選） |
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100GHz |
＞80mW |
＞180mW |
＞400mW |
＞0.8W |
＞1.8W |
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140GHz |
＞30mW |
＞90mW |
＞180mW |
＞300mW |
＞600mW |
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200GHz |
＞40mW |
80mW |
＞200mW |
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263GHz |
＞10mW |
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300GHz |
＞10mW@290GHz |
＞20mW@280GHz |
＞40mW@280GHz |
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600GHz |
＞1.5mW@580GHz |
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標（biāo）準（zhǔn）調製： |
TTL |
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可選天線： |
喇叭式天線，法蘭輸出，增益：20-25dB |
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可選（xuǎn）外調（diào）製： |
基頻：85-100GHz，140GHz；調製頻率：＜200MHz；開關時間：＜2ns；插損：＜1.5dB。 |
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備（bèi）注： |
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