光電二極管（guǎn）芯片COC （ Chip on Carrier）

通過與客（kè）戶的密切合作，Albis開發了複雜的裝配解決（jué）方案，可滿足對準精度、帶寬和布局複雜（zá）性方麵的（de）嚴格要求。Albis雪崩和（hé）pin光電二極管產品（pǐn）組合現在（zài）可以（yǐ）作為倒裝芯片安裝或引線鍵合器件在定製的2D或3D（環繞式）載體上提供。

PIN光電二極管芯片COC （ Chip on Carrier）

集成透鏡的112 Gbaud光電二極管芯片|PS60X1

PS60X1是一個112 Gbaud光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共麵接觸布局的金屬化陶瓷載體上。

帶有集成背麵透鏡的底部（bù）照明InGaAs p-i-n光電二（èr）極管結構針對112 Gbd PAM-4（400GbE和800GbE）單模電信、微波光子鏈路、光纖射頻以（yǐ）及測試和測量應用（yòng）進行了（le）優化。 它在1260至1620 nm的波長範圍內提供出色的響應度和高速響應。

集成（chéng）的背麵透鏡將入射光（guāng）束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單（dān）高效的光耦合。

集成（chéng）鏡頭（tóu）的56 Gbaud光電二極（jí）管 |  PS40X1

PS40X1是一個56 Gbaud光（guāng）電二極（jí）管芯片倒裝芯片的組件，該芯片（piàn）焊接到具有共麵（miàn）接（jiē）觸（chù）布局的金（jīn）屬化陶瓷載體上。

帶有集成背麵透（tòu）鏡（jìng）的底部（bù）照明InGaAs p-i-n光電二極管結構針對56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和（hé）400G-FR4）單模電信、微波光（guāng）子鏈（liàn）路、光纖射頻以及測試和測量應用進行（háng）了優化。 它（tā）在1260至1620 nm的波長（zhǎng）範（fàn）圍內提供出（chū）色的響應度和高速響應。

集成的背麵透鏡將入射光束聚焦在（zài）頂部檢測區域，從而（ér）實現簡單高效（xiào）的光耦合（hé）。

集成透（tòu）鏡的400G光電二極管陣列 |  PS40X4

多個（gè）56 Gbaud光電二極管芯片（多通道56 Gbaud光電（diàn）二極管芯片）倒裝焊接到（dào）金屬化陶瓷載體上的組裝，具有共麵G-S-G接觸布（bù）局和750 µm的通道間距。 所有光電二（èr）極管都（dōu）以高精（jīng）度定位。

底部照明InGaAs引腳（jiǎo）光電（diàn）二極管結構與集成背側透鏡針對高（gāo）達56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）單模電信、微波光（guāng）子鏈路、光纖射頻以及測試和測量應用進行了優化.它在1260至1620 nm的波長範圍內提供（gòng）出色的響（xiǎng）應度和高速響應。

集成的背麵透鏡將入射光束聚焦在（zài）頂部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。

集（jí）成（chéng）透鏡的28 Gb/s光電二極管芯片|  PS20X1

PS20X1是一個28 Gb/s光電（diàn）二極管芯（xīn）片倒裝芯（xīn）片的組件，該芯片焊接到具有共麵接觸布局的金屬化陶瓷載（zǎi）體上。

帶有集成背麵透鏡的底（dǐ）部照明InGaAs p-i-n光電二極管結構針對高達28 Gb/s的數據和電（diàn）信應用進行了優化，並在1260至1620 nm的（de）波長範圍內提供了出色的響應度和高速響應。 光電二極（jí）管具有低電容並在低偏置電壓下實現全速。

集（jí）成的背麵透鏡將入射光（guāng）束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。

集成透鏡28 Gb/s光電二極（jí）管陣列 |  PS20Xn

PS20Xn是多個PD20X1光電二（èr）極管芯片的組件，倒裝芯片（piàn）焊接到具有共（gòng）麵接觸布局的金屬化陶瓷載體上。 所（suǒ）有光電二極（jí）管都相對於對準特征進行了高精度（dù）定位，以保證±10 µm的芯片到芯片對準。

PD20X1是一款InGaAs/InP超高速光電二極管芯片，帶有集成背麵透鏡。 底部照明p-i-n光電二極管結構針對高達28 Gb/s的數據和電信應用進行了優化，並在（zài）1260至1620 nm的波長範圍（wéi）內提供出色的響（xiǎng）應度和高速響應。 光電二（èr）極管具有低電容並在低偏置電（diàn）壓下實現全速。

集成的背麵透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單高效的（de）光耦合。

8 Gb/s光電二（èr）極管芯片|  PS05F1

PS05F1是安裝在陶瓷載體上的單個環繞式托（tuō）架上 PD10F1光電二極管芯片的組件，帶有用於陽極和陰極連接的環繞式金屬焊盤（pán）。

PD10F1是一（yī）款InGaAs/InP高速光電二極管芯片，具有（yǒu）雙焊盤布局和大光學孔徑。 頂部照明光電二極管（guǎn）針對高（gāo）達12 Gb/s的單模數據和電信應用進行了優化，並在1260至1620 nm的波（bō）長範圍內提供（gòng）出色的響應度和高速響應（yīng）。 在整個波（bō）長範圍內，增透膜具（jù）有低反射率和高回波損耗。 光電二極管經過優（yōu）化，可在大有源麵積（jī）和低電容之間實現最佳平衡，並在低偏置電壓下實現全速（sù）。

4通（tōng）道倒裝芯片焊接（jiē）監控光電二極管陣列 |PS05J4

四個InGaAs/InP底部照明光電二極管芯片（piàn）的單片陣列，具有以標準250 μm間距分（fèn）隔的大光學孔（kǒng）徑。 底部照明p-i-n光電二極管結構針對高達2.5 Gb/s的（de）數據和電信中的低速監控應用進行（háng）了優（yōu）化。 它們在1260至1620 nm的（de）波長範圍內提供出色的響應度和高速響應（yīng）。

底部照明的4通道光電二極管陣列倒裝焊接在具有環繞金屬化的陶瓷底座上。

8通道倒裝焊接平衡光電二極管陣列（liè） |  PS05J8

八個InGaAs/InP底（dǐ）部照明光（guāng）電二極管的單片陣列，具有120 µm的大光學（xué）孔徑，間距為300 µm。 底部照明（míng）p-i-n光電二極管（guǎn）結構針對高達2.5 Gb/s的數據和電信中（zhōng）的低速監控應用進行了優化。 它們在1260至1620 nm的波長範（fàn）圍內提供出色的響應度和高速響應。

底部照明的8通道光電二極管（guǎn）陣（zhèn）列倒裝（zhuāng）焊接在具有環繞金屬化的陶瓷底（dǐ）座上。 導線設計用於使用四對光電（diàn）二極管進行平衡檢測。

APD光電二極管芯片COC（ Chip on Carrier）

集成透鏡28 Gb/s雪崩光電二（èr）極管芯片（piàn）|  APD20D1

APD20D1是底部照明的28 Gb/s雪崩光電二極管(APD)芯片，帶有集成背麵透鏡。 這種創新的APD提供低噪聲倍增和高增益帶寬產品（pǐn），可（kě）實現高（gāo）靈敏度28G接收器的設計。 典型應用（yòng）包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。

集成的背麵透（tòu）鏡將入射光束聚焦在頂部檢測區域，從而實現簡單高效的光耦合。

APD倒裝焊接在金屬化（huà）陶瓷載體上，具有共麵GSG或Y形接（jiē）觸焊盤布局。 大焊（hàn）盤允許（xǔ）放置多個鍵。

集成透鏡的25 Gb/s雪崩光（guāng）電二極（jí）管芯片|APD20B1/C1

底部照明的25 Gb/s雪（xuě）崩光（guāng）電二極管(APD)芯片，集成背（bèi）麵透鏡安（ān）裝在陶瓷載體上。 這種（zhǒng）創新的APD提供低噪聲倍增（zēng）和高增益帶寬產品，可實現高靈敏度25G接收器的設計。 典型應用包括（kuò）28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。

集（jí）成的背（bèi）麵透鏡（jìng）將入（rù）射光束聚焦在（zài）頂部檢測（cè）區域，從（cóng）而實現簡單高效的光耦合。

APD倒裝焊接在金屬化陶瓷基板上，具有T形、共麵GSG或Y形觸點布局。 大焊盤允許放置多個鍵。