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InGaAs雪崩光電(diàn)二極管
InGaAs APD可大大降低暗(àn)電流

該(gāi)款InGaAs APD(雪崩光電二極(jí)管)通過使(shǐ)用新的器件結構和加工處理流程,和現有產品相比,大幅度降低了暗電流。 G14858-0020AA可以(yǐ)用(yòng)於距離測量,微弱光檢測等。

品牌:Hamamatsu 

型號:G14858-0020AA

產(chǎn)品特點
· 低暗電流
· 低(dī)電容(róng)
· 高靈敏度
典型(xíng)應用
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產品(pǐn)介(jiè)紹
InGaAs APD可大大降低暗電流

該款InGaAs APD(雪崩光電二極管)通過使用新的(de)器(qì)件(jiàn)結構和加工處理流程,和現有產品相比,大幅度降低了暗電流(liú)。 G14858-0020AA可以(yǐ)用於距離測(cè)量,微(wēi)弱光檢測等。


產品型號及主要指標
Model G14858-0020AA
象元數 1
感光麵積 φ0.2 mm
封裝 Metal
封裝類型 TO-18
光譜響應範(fàn)圍 950 to 1700 nm
峰值(zhí)波長(典型值(zhí)) 1550 nm
靈敏度(典型值) 0.8 A/W
暗電流(最大(dà)值) 50 nA
截止頻率(lǜ)(典型值) 900 MHz
結電容(典型值) 2 pF
擊穿(chuān)電壓(典型值) 65 V
擊穿電壓溫(wēn)度係數(典型值) 0.1 V/℃
測試條件 Ta=25℃, Photosensitivity: λ=1.55 μm, M=1


光譜響應

2.png

外形尺寸(單位:mm)

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