*1:Vd 是漏電流為 1 µA 時的 AD 偏（piān）置電壓。 Vb 的電壓為 300 V 至 500 V。

 *2：在-8 kV的光電陰（yīn）極電壓和Vb（擊（jī）穿電壓）-10 V的（de）AD偏置電壓下。

 *3：在單光子狀態和光電陰（yīn）極全照度下，指定為 FWHM（Full Widh at Half Maximum）。     這（zhè）些閾值包括大約 30ps 的電子設備（bèi）抖動。 

 *4：在 500 nm

外形尺寸（cùn）（單位：mm）